深科技拟定增募资17.1亿元，用于存储先进封测与模组制造项目

10月18日，深科技发布2020年度非公开发行A股股票预案，公司拟非公开发行不超89,328,225股股票，募资不超171,000万元，扣除发行费用后将全部用于存储先进封测与模组制造项目。 据披露，存储先进封测与模组制造项目总投资306,726.40万元，其中建设投资296,471.17万元，铺底流动资金10,255.23万元。项目建设周期为36个月，主要建设内容为： （1）DRAM存储芯片封装测试业务，计划全部达产后月均产能为4,800万颗 （2）存储模组业务，计划全部达产后月均产能为246万条模组 （3）NANDFlash存储芯片封装业务，计划全部达产后月均产能为320万颗 本项目技术来源于沛顿科技自主研发与长期积累，沛顿科技存储芯片封装制程采用的是当前高端产品的主流技术，如wBGA、LGA、SOP、TSOP、QFN、系统级SiP封装技术等，现有产品已实现多达16层的多晶堆叠技术，最大单颗芯片容量可达到256G。 沛顿科技具备DDR4封装和测试技术，采用的BGA、LGA等封装技术优势明显，产品合格率高，交货周期快，产品质量稳定，领先于国内其他竞争对手；沛顿科技的日本研发团队开发测试方案和程式，提供定制化服务的支持，技术工艺竞争优势明显。 深科技表示，随着本次募投项目的实施，有利于打破国内存储器领域对进口产品的依赖和技术壁垒，加速存储器国产化替代进程，提升国产存储器芯片的产业规模，促进我国存储器产业链发展。 本项目实施后，可满足客户较大需求的DRAM、Flash存储芯片封测以及DRAM内存模组制造业务，有助于国内存储器芯片封测的深度国产化。公司根据客户整体产能建设的需要，契合客户业务布局，对公司建立长期稳定的客户关系起到积极作用。客户产能的逐步提升将直接带动公司集成电路封测业务的订单增加。本次募投项目实施后的新增产能加上公司现有产能，将为存储器芯片国产化提供保障。 [44] \t