6月20日，国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区未来科技城国家存储器基地建设工地开工建设。据紫光集团兼长江存储公司董事长赵伟国介绍，国家存储器基地项目于2016年12月30日开工，计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂，总投资240亿美元。其中一期主要实现技术突破，并建成10万片/月产能，二期规划产能20万片/月，两期项目达产后月产能共计30万片。
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